Crossbeam 350/550/750
Crossbeam 350/550/750
Rasterelektronenmikroskope FIB-SEM
In den CrossBeam Geräten von Zeiss wird eine Elektronensäule (SEM) mit einer Ionenstrahlsäule (FIB) kombiniert, um neben reiner Abbildung auch mit Gallium Ionen in die Tiefe schneiden zu können. Mittels Öffnen der Oberfläche gewinnen Sie Information aus der Tiefe in Nanometerauflösung! Durch eine automatisierte Abfolge von Schneiden und Bilderzeugung mit anschliessender Rekonstruktion werden dreidimensionale Tomographien erzeugt – eine hervorragende Methode nicht nur in der Biologie, sondern in einem breiten Spektrum von Anwendungen in der Materialforschung.
Rasterelektronenmikroskope mit fokussiertem Ionenstrahl oder kurz FIB-SEM von Carl Zeiss verbinden die 3D-Imaging- und Analysefähigkeiten der GEMINI Elektronensäule mit den Fähigkeiten eines FIB für die Materialverarbeitung und Probenpräparation im Nanomassstab.
Beschleunigen Sie Ihre Tomografieabläufe: Verwenden Sie bis zu 100 nA FIB-Strom (Crossbeam 750 bis zu 20 nA) mit dem exzellenten Punktprofil, um die Lücke zwischen Mikro- und Nano-Patterning zu schliessen.
- Modelle ZEISS Crossbeam 350, 550 und 750
- REM-Auflösung bis 0,7 nm bei 15 kV beim Crossbeam 550, gemäss früherer Produktspezifikation
- Beim Crossbeam 750 0,9 nm bei 15 kV am Koinzidenzpunkt
- FIB-Auflösung von 3 nm bei 30 kV für Crossbeam 350/550, gemäss Produktspezifikation
- Präparation von TEM-Lamellen und gezielten Materialquerschnitten
- 3D-FIB-SEM-Tomografie durch seriellen Materialabtrag und Bildaufnahme
- Optionale EDS/EDX-, EBSD-, WDS- und SIMS-Analytik, konfigurationsabhängig
Webinar-Tipp:
In diesem Webinar erfahren Sie von Prof. Dr. Dariusz Jarząbek (Polish Academy of Sciences / Warsaw University of Technology) und Martina Schenkel (Carl Zeiss Microscopy GmbH), wie sich hochwertige TEM-Lamellen auch für anspruchsvolle Materialsysteme zuverlässig herstellen lassen. Anhand praxisnaher Beispiele werden typische Herausforderungen bei der Präparation komplexer, mehrphasiger Werkstoffe sowie Strategien zur Vermeidung von Artefakten wie Re-Deposition, Biegung oder selektivem Sputtern vorgestellt.
Crossbeam 350, 550 und 750 im Vergleich
Technische Spezifikationen
|
Crossbeam 350 |
Crossbeam 550 |
Crossbeam 750 |
|
|---|---|---|---|
|
Elektronenoptik |
Gemini 1 |
Gemini 2 |
Gemini 4 |
|
FIB-Technologie |
Ion-sculptor |
Ion-sculptor |
Ion-sculptor |
|
REM-Auflösung bei 15 kV am Koinzidenzpunkt |
1,1 nm |
0,9 nm |
0,9 nm |
|
REM-Auflösung bei 1 kV am Koinzidenzpunkt |
2,3 nm |
1,8 nm |
1,5 nm |
|
Variable Pressure |
Ja |
Konfigurationsabhängig |
Anwendungsabhängig |
|
TEM-Lamellenpräparation |
Ja |
Ja, automatisierbar |
Ja, mit Live-Endpunktkontrolle |
|
Schwerpunkt |
Flexible FIB-SEM-Analytik |
Hochauflösende Analytik und Probenpräparation |
Präzisionspräparation unter 20 nm |
Wir freuen uns auf Ihre Anfrage!
