3D Röntgenmikroskopie in der Halbleiteranwendungen

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Dauer: 65 mins  I  Sprache: Englisch  I  Gebiet: Röntgenmikroskopie

• Erfahren Sie, wie Mikroskopielösungen von ZEISS die Herausforderungen der Fehleranalyse bei Halbleitergehäusen der nächsten Generation bewältigen
• Entdecken Sie die neuesten Entwicklungen und Fortschritte in der 3D-Röntgenmikroskopie für die Fehleranalyse von Halbleitergehäusen
• Erhalten Sie Einblicke, wie Technologien der künstlichen Intelligenz in XRM-Arbeitsabläufe integriert werden, um die Effizienz der Fehleranalyse zu steigern

3D-Röntgenmikroskope (XRM) haben sich in den letzten zehn Jahren in der Fehleranalyse auf Bauteilebene weit verbreitet. Diese zerstörungsfreie Bildgebungstechnik steht jedoch vor Herausforderungen durch die neuen Architekturen, Verbindungen und Materialien in modernen IC-Baugruppen. In diesem Webinar stellen wir die jüngsten Fortschritte bei der Verbesserung der XRM-Auflösung und der Beschleunigung der Datenerfassung vor, die durch Innovationen in der Detektoroptik, KI-basierte Rekonstruktionsverfahren und die Entwicklung korrelativer Arbeitsabläufe erzielt wurden. Durch eine Detektorinnovation wurde eine bahnbrechende Verbesserung der Auflösung erreicht.

Preisgekrönte KI-basierte Rekonstruktionsmodule ermöglichen viermal schnellere Scans und eine überragende Bildqualität bei der Abbildung fortschrittlicher IC-Gehäuse. In Verbindung mit der Laser-FIB-SEM-Mikroskopie wurde ein XRM-zu-LaserFIB-Workflow entwickelt, um eine schnelle und präzise Fehleranalyse zu ermöglichen. Für die weiteren Anforderungen an Auflösung und Geschwindigkeit bei der fortschrittlichen Fehlerlokalisierung berichten wir über eine Nanotomographie-Technik mit einer Auflösung von 50 nm, die seit kurzem durch eine Deep-Learning-Rekonstruktionsmethode unterstützt wird.

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Sprecher: Allen Gu, Ph.D 

Senior Sector Manager – Electronics

Dr. Allen Gu ist Senior Sector Manager bei ZEISS Microscopy und konzentriert sich auf die Entwicklung neuer Mikroskopielösungen für Halbleitergehäuse der nächsten Generation. Mit seinem Hintergrund in Materialwissenschaft und Werkstofftechnik hat er sich in den letzten 18 Jahren mit verschiedenen Mikroskopietechnologien befasst, wobei sein Schwerpunkt auf der Bildgebung und Analyse im Mikro- und Nanobereich lag. Er kam 2010 zu Carl Zeiss X-ray Microscopy und spielte eine führende Rolle bei der Entwicklung bahnbrechender Röntgenbildgebungsverfahren für die Fehleranalyse von Halbleitern. Heute ist ZEISS XRM die weltweit fortschrittlichste Marke für 3D-Röntgenmikroskopie im Bereich der zerstörungsfreien Verfahren. Vor seiner Tätigkeit bei ZEISS war er als Senior Applications Scientist für Rastersondenmikroskopietechnologien bei Pacific Nano und Agilent in den USA tätig. Er ist (Mit-)Autor zahlreicher Fachartikel, Konferenzbeiträge, Präsentationen und US-Patente.

Sprecher: Ian Belding 

Business Development Manager - XRM

Ian ist Global Business Development Manager für Röntgenmikroskopie bei ZEISS. Ian studierte Physik, bevor er 2004 zu ZEISS kam. Während seiner Zeit bei ZEISS hat sich Ian auf die Elektronen- und Röntgenmikroskopie spezialisiert und ist seit 2017 weltweit für den Vertrieb von Röntgenmikroskopie-Systemen zuständig.