ZEISS Gemini 3: Echte Abbildung der Probenoberfläche bei niedrigen und extrem niedrigen kV-Werten

Zeiss / REM Elektronenmikroskopie

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ZEISS Gemini 3: Echte Abbildung der Probenoberfläche bei niedrigen und extrem niedrigen kV-Werten

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Sprache: Englisch  I  Gebiet: REM Elektronenmikroskopie

Sie erfahren mehr über:

  • hochauflösende SEM-Bildgebung bei niedrigen und ultraniedrigen kV
  • True Sample Surface Imaging ohne Beschichtung oder Stage Biasing
  • Möglichkeiten der ZEISS Gemini 3 Elektronensäule mit Nano-twin-Linse und Smart Autopilot
  • Optimierung von Auflösung, Signal-Rausch-Verhältnis und Materialkontrast
  • Flexible Einstellung der Imaging-Parameter für optimale Abbildungsbedingungen
  • Verzerrungsfreie SEM-Bildgebung magnetischer Nanopartikel

Die hochauflösende Abbildung von Probenoberflächen im Rasterelektronenmikroskop (REM/SEM) stellt insbesondere bei nichtleitenden und magnetischen Materialien hohe Anforderungen an die Elektronenoptik. Eine Beschichtung der Probe kann zwar die Bildgebung erleichtern, gleichzeitig jedoch feine Oberflächenstrukturen verdecken oder verändern. Für eine möglichst unverfälschte Darstellung der tatsächlichen Probenoberfläche ist daher die SEM-Bildgebung bei niedrigen und ultraniedrigen Beschleunigungsspannungen (Low & Ultra-Low kV) von besonderem Interesse.

Die Arbeit bei sehr niedrigen kV bringt jedoch Herausforderungen mit sich: Ein geringes Signal-Rausch-Verhältnis, eine reduzierte Bildauflösung sowie mögliche Bildverzerrungen durch die schwierige Ausrichtung niederenergetischer Elektronenstrahlen können die Qualität der Ergebnisse beeinträchtigen.

In diesem Webinar erfahren Sie, wie die ZEISS Gemini 3 Elektronensäule diese Herausforderungen adressiert. Die Kombination aus der neuen Nano-twin-Linse und Smart Autopilot, einer modernen Engine zur automatisierten Optimierung der Elektronenoptik, ermöglicht hochauflösende Oberflächenaufnahmen mit einer Auflösung im Sub-Nanometerbereich – selbst bei nichtleitenden und magnetischen Proben.

Erfahren Sie, wie Sie bei ultraniedrigen Beschleunigungsspannungen hochauflösende SEM-Aufnahmen ohne Oberflächenbeschichtung oder Stage Biasing erstellen und damit unverfälschte topografische Informationen Ihrer Probe erhalten. Darüber hinaus wird gezeigt, wie sich der Materialkontrast auch bei niedrigen kV maximieren, optimale Abbildungsbedingungen flexibel einstellen und magnetische Nanopartikel verzerrungsfrei untersuchen lassen.

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Sprecher: Feng Lin Ng, PhD 

Business Development Specialist, APAC – Materials Research, ZEISS Research Microscopy Solutions

Dr. Feng Lin Ng ist Business Development Managerin für Materialforschung im Bereich APEC bei ZEISS Research Microscopy Solutions. Sie promovierte in Materialwissenschaft und Werkstofftechnik an der Nanyang Technological University in Singapur und war anschließend bei SIMTech, A*STAR, in der Polymer- und Materialforschung tätig. Bei ZEISS unterstützt sie heute die Geschäftsentwicklung von Elektronen- und Röntgenmikroskopielösungen für die materialwissenschaftliche Forschung.

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